Intel 3D Xpoint 공개에 관한 하이닉스, 삼성전자 소고

인텔이 차세대 저장기술을 공개했다. 3D Xpoint (Cross-point)라고 불리는 기술인데, 인텔에 따르면 수율만 잘 나온다면 기존의 SSD (NAND)가 가지고 있는 집적도와 속도의 한계를 몇 단계 넘어서는 제품이다. 

현재의 NAND 메모리는 Transistor에 기반하고 있는데, 크로스포인트는 하나의 bit을 access 하기 위해 2D 로 수직하게 연결된 전선을 이용하여 Transistor의 필요성을 없앴다. 수직한 전선 중 하나씩에 전류를 흘려보내면, 하나의 cell을 독립적으로 불러내거나 읽을 수 있다 (individually addressing). 

또한 이렇게 수직한 전선을 이용하기 때문에 집적도도 매우 높일 수 있다. 그리고 여러개의 cell을 동시에 불러오는 것도 가능하다. 물론 한 층에서는 1개의 cell만 불러올 수 있으나, 인접한 층이 아닐 경우에 다른 층의 cell을 간섭 없이 불러올 수 있다. 

Cell을 불러오는 (addressing)하는 데 트랜지스터 스위치를 쓰는 기존의 방식은 Transistor의 경우 켜고 끄는 시간 (Gating time)에 의해 기기의 속도가 제한되지만, 인텔의 크로스포인트의 경우 전류가 흐르는 시간 + 전류가 자기 스핀 (magnetic spin)의 상태를 변화시키는 시간이 바로 기기의 속도를 제한한다. 전류가 흐르는 시간은 거의 순간적 (instantaneous)이므로, 기존의 방식에 비해 빠른 속도를 얻을 수 있다. 

인접하지 않은 층의 cell을 간섭 없이 접근할 수 있다는 점은, 이 속도를 더욱 가속시켜준다. 홀수 (1, 3, 5...) 층의 각각 1개의 cell을 한꺼번에 접근하고, 다음 순간에 짝수 (2, 4, 6...) 층의 각각 1개의 cell을 한꺼번에 접근하면, 2번의 연산시간 동안 모든 층의 각각 1개의 cell을 접근할 수 있다. 이렇게 반복하면 한 층의 cell의 개수 x 2 만큼의 연산만 하면 모든 cell을 다 접근할 수 있다.

아래의 동영상을 감상하자.

일단은 매우 획기적인 방법으로 보인다. 내가 보지 못하는 문제점이 있을지도 모르겠지만, 인텔이 이러한 기술을 상용화하면 관련업계에 큰 파장이 일 것이다. 특히 그동안 느린 속도였던 SSD와, 비싼 가격에 머물러 있었던 D-RAM을 대체할 수 있을지가 주목된다. 만일 이 둘을 대체할 수 있을만큼 장점이 크고 수율이 잘 나온다면, SSD 및 D-RAM업계는 인텔 위주로 재편될 것이다.

이 소식이 뜬 직후 하이닉스와 삼성전자의 주가는 급락했다. 당분간은 크로스포인트 기술에 대한 분석이 이루어지기 전에 두 기업을 매수하는 것은 위험할 수 있다. 하이닉스와 삼성전자를 비교하자면 D-RAM에 대한 의존도가 큰 하이닉스에 비해서는 삼성전자가 영향이 적을 것이다.

출처: 다음 금융